[填空题]发生突触后抑制时，在突触后膜上可产生。

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• ●    关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）
• ●    神经递质与突触后膜受体结合后，使后膜对Na++通透性提高，将引起后膜的电位变化是( )
• ●    产生突触前抑制的机制是
• ●    兴奋性突触后电位的产生是由突触前膜兴奋并释放化学递质作用于突触后膜，使突触后膜对一切小离子（包括Cl-、K+，尤其是Cl-）的通透性增高，产生局部去极化。
• ●    神经细胞和肌细胞膜构成了接头，接头结构分为 和突触后膜。
• ●    发生突触后抑制时，在突触后膜上可产生。
• ●    突触前抑制的结构基础是哪一类型的突触（）
• ●    抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
• ●    既可作突触前抑制，又可作突触后抑制的递质是γ-氨基丁酸
• ●    82EPSP的产生,是由于突触后膜提高了下列哪些离子的通透性:( )
• ●    突触后抑制包括传入侧支性抑制和回返性抑制
• ●    突触后电位包括兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位。关于突触后电位的特征，下列哪项是错误的（）。