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问题：
[填空题]动态MOS存储器的刷新周期安排方式有()、()和()三种。
参考答案：
集中刷新、分散刷新、异步刷新
相关内容
- ● 动态MOS存储器的刷新周期安排方式有()、()和()三种。
- ● Logitic回归系数与优势比OR的关系为（）。
- ● 对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言，存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常约为
- ● 使用电容存储信息且需要周期性地进行刷新的存储器是（）。
- ● 因为单管动态随机存储器是破坏性读出，所以必须不断地刷新。（）
- ● 在500名病例与500名对照的匹配病例对照研究中，有400名病例与100名对照具有暴露史。据此资料，计算OR值为（）
- ● 与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。
- ● 和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。
- ● 何谓随机存取存储器RAM？静态RAM和动态RAM的本质区别是什么？动态RAM为什么要刷新？
- ● （）any cae or upected cae of quarantinable dieae，or any cae of eruptive dieae or any death be dicovered，the local quarantine officer mut be notified immediately．
- ● Should any cae or upected cae of quarantinable dieae，or any cae of eruptive dieae or any death be dicovered，the local Quarantine Officer mut be（）immediately.
- ● 已知A=40；B=30；C=100；D=50，逻辑“与”运算符为and，“或”运算符为or，“非”运算符为not。计算表达式（A>B+20）or（B+60
